Veliko hvala EmiSar-u na pomoci oko odgovora, jer bas dugo nisam posecivao ovu temu.
-------------------------------------------------
@taurus22
Velika je greska paralelovati silicijumske diode.
Mogu se paralelovati jedino Sic diode (silicium karbid sotki) jer imaju pozitivan temperaturni koeficijent, ali su prilicno skupe, i povoljne su za koriscenje pri znatno visim naponima.
Mislim da ce uz dobro hladjenje MUR860 biti sasvim dovoljne.
Imaju jako kratko recoverry vreme, pa nece previse grejati.
--------------------------------------------------------------------------
@ taurus22 i ostali
Dakle, ako treba vise struje, NE PARALELOVATI diode, vec izabrati snaznije.
A ako imate na raspolaganju puno slabijih dioda koje zelite nekako da potrosite, onda pletenicu kojom je motan sekundar razdelite na vise grupa, od kojih ce svaka napajati svoju grupu dioda, pa onda izlaze svih tih dioda udruziti.
Na ovaj nacin se dobija vise istih sekundara sa tanjom zicom, pa njihove induktivnosti i otpornosti izvrse simetrisanje dioda.
----------------------------------------------------------------------------------------------------------
Silicijumske diode imaju negativan temperaturni koeficijent, gde se pad napona smanjuje sa porastom temperature, pa stoga prva dioda koja se vise zagreje preuzima veci deo struje, zato se jos vise zagreje, preuzme jos struje, i tako dok ne bude preuzela svu struju i pregori...
Takodje imaju veliko rasipanje karakteristika oko vremena uspostavljenja forvard provodnog stanja (to itekako postoji !!!), rasipanje recoverry struja i vremena, i znacajne razlike parazitnog kapaciteta.
http://www.ee.washington.edu/r...odels/papers/simpforeverse.pdf
Kada se moraju paralelovati, svaka mora imati predotpor, dovoljno veliki da termicke devijacije ne dovode do vecih razlika struja medju diodama, i obicno su na tim predotporima gubici veci nego na samim diodama. (taj otpornik ima prakticno veoma slicnu ulogu kao emiterski otpornik kod BJT)
Kod brzih aplikacija kao sto su SMPS je slucaj jos gori, jer se svakoj moraju dodati moraju dodati i paralelni kapaciteti (nekoliko puta veci nego kod najlosije diode u grupi) i serijske induktivnosti, da bi se simetrisala tranzijentna stanja.
To nudi uvek znacajno losiji KKD, i radi se kada se nema izbora za jacu diodu, a to su situacije gde se koriste struje od vise KA, i opet se (ako je ikako moguce) radije bira simetrisanje pomocu vise sekundara.
To pravilo vazi za sve diode (zener, LED, Ge, sotki...), jedino ne vazi za Sic diode.
--------------------------------------------------------------------------------
Nesto o SIC diodama (Silicon Carbide Schottky Diodes):
Sic diode su izum relativno novijeg datuma (cini mi se 2002.) . Izumitelj je Dr. Ilija Zverev, inzenjer Siemensa.
Te diode prakticno imaju nemerljivo recoverry vreme, i inverzna tranziciona struja se svodi jedino na struju kroz njen parazitni kapacitet.
Mogu se praviti i za vise od 3KV zapornog napona, imaju pozitivan temperaturni koeficijent pa se zato savrseno paraleluju.
Jedina mana im je sto imaju poveliki pad napona u direktnom smeru (>1,5V), pa su zato povoljne kod visih naipona i manjih struja.
Kod PFC i slicnih visokonaponskih aplikacija njihova primena daje znacajno poboljsanje KKD, jer se na obicnim ultrafast i sotki diodama znacajni gubici kriju u recoverry gubicima (iako su se proizvodjaci potrudili da ih smanje na najmanju mogucu meru).
Pozdrav svima